TPC8009-H - описание и поиск аналогов

 

TPC8009-H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TPC8009-H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для TPC8009-H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TPC8009-H даташит

 ..1. Size:182K  toshiba
 tpc8009-h.pdf pdf_icon

TPC8009-H

 8.1. Size:509K  toshiba
 tpc8004.pdf pdf_icon

TPC8009-H

TPC8004 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSVI) TPC8004 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Portable Equipment Applications Notebook PC Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 37 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 6 S (typ.) fs Low leakage current

 8.2. Size:336K  toshiba
 tpc8001.pdf pdf_icon

TPC8009-H

TPC8001 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ( -MOSVI) TPC8001 Lithium Ion Battery Applications Unit mm Portable Equipment Applications Notebook PC Applications Small footprint due to small and thin package Low drain-source ON resistance R = 15 m (typ.) DS (ON) High forward transfer admittance Y = 11 S (typ.) fs Low leakage current

 8.3. Size:295K  toshiba
 tpc8006-h.pdf pdf_icon

TPC8009-H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... TPC6106 , TPC6107 , TPC6108 , TPC6201 , TPC8001 , TPC8003 , TPC8004 , TPC8006-H , IRF730 , TPC8010-H , TPC8012-H , TPC8013-H , TPC8014 , TPC8016-H , TPC8017-H , TPC8018-H , TPC8020-H .

History: MDF2N60TP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.