SSM3J16TE Todos los transistores

 

SSM3J16TE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSM3J16TE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: TESM

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SSM3J16TE datasheet

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SSM3J16TE

SSM3J16TE TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J16TE High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit mm Small package Low on-resistance Ron = 8 (max) (@VGS = -4 V) Ron = 12 (max) (@VGS = -2.5 V) Ron = 45 (max) (@VGS = -1.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-So

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SSM3J16TE

SSM3J16FV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type( -MOSVI) SSM3J16FV High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Small package Unit mm Low on-resistance RDS(ON) = 8 (max) (@VGS = -4 V) RDS(ON) = 12 (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 45 (max) (@VGS = -1.5 V) 1.2 0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) 0.8 0.05

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SSM3J16TE

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SSM3J16TE

SSM3J16FU TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type( -MOSVI) SSM3J16FU High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit mm Small package Low on-resistance RDS(ON) = 8 (max) (@VGS = -4 V) RDS(ON) = 12 (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 45 (max) (@VGS = -1.5 V) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol

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