TTK101MFV Todos los transistores

 

TTK101MFV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TTK101MFV

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.00035 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1500 Ohm

Encapsulados: VESM

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TTK101MFV datasheet

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TTK101MFV

TTK101MFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type TTK101MFV For ECM Unit mm Application for compact ECM 1.2 0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) 0.8 0.05 Characteristic Symbol Rating Unit Gate-drain voltage VGDO -20 V 1 Gate current IG 10 mA 3 Drain power dissipation PD (Note 1) 150 mW Junction temperature Tj 125 C 2 Storage temperatur

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TTK101MFV

TTK101TK TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type TTK101TK For ECM Unit mm Application for compact ECM 1.2 0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) 0.8 0.05 Characteristic Symbol Rating Unit 1 Gate-Drain voltage VGDO -20 V Gate Current IG 10 mA 3 Drain power dissipation PD 100 mW 2 Junction Temperature Tj 125 C Storage temperature range

Otros transistores... 2SK3857TV , 2SK4059CT , 2SK4059MFV , 2SK4059TK , 2SK4059TV , 2SK711 , 2SK879 , 2SK880Y , IRLZ44N , TTK101TK , 2SJ181L , 2SJ181S , 2SJ186 , 2SJ216 , 2SJ217 , 2SJ221 , 2SJ222 .

History: WML07N80M3 | IRF623FI | SM1A16PUB | 2SK3789-01R | AO4458 | AP4523GH | BSR202N

 

 

 

 

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