TTK101MFV Todos los transistores

 

TTK101MFV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTK101MFV
   Código: IA_IB
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.00035 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   |Vgs(off)|ⓘ - Voltaje de corte de la puerta: 0.1 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1500 Ohm
   Paquete / Cubierta: VESM
     - Selección de transistores por parámetros

 

TTK101MFV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  toshiba
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TTK101MFV

TTK101MFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type TTK101MFV For ECM Unit: mm Application for compact ECM 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) 0.80.05Characteristic Symbol Rating UnitGate-drain voltage VGDO -20 V 1Gate current IG 10 mA3Drain power dissipation PD (Note 1) 150 mW Junction temperature Tj 125 C 2Storage temperatur

 8.1. Size:149K  1
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TTK101MFV

TTK101TK TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type TTK101TK For ECM Unit: mm Application for compact ECM 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) 0.80.05Characteristic Symbol Rating Unit1Gate-Drain voltage VGDO -20 VGate Current IG 10 mA3Drain power dissipation PD 100 mW 2Junction Temperature Tj 125 C Storage temperature range

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History: IRFU13N20D | VN0109ND | UTT30P06G-TQ2-T | IRFU7440PBF | STI18N65M5 | IPB65R115CFD7A | AO6402A

 

 
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