Справочник MOSFET. TTK101MFV

 

TTK101MFV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TTK101MFV
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.00035 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1500 Ohm
   Тип корпуса: VESM
 

 Аналог (замена) для TTK101MFV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TTK101MFV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  toshiba
 ttk101mfv.pdf pdf_icon

TTK101MFV

TTK101MFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type TTK101MFV For ECM Unit: mm Application for compact ECM 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) 0.80.05Characteristic Symbol Rating UnitGate-drain voltage VGDO -20 V 1Gate current IG 10 mA3Drain power dissipation PD (Note 1) 150 mW Junction temperature Tj 125 C 2Storage temperatur

 8.1. Size:149K  1
 ttk101tk.pdf pdf_icon

TTK101MFV

TTK101TK TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type TTK101TK For ECM Unit: mm Application for compact ECM 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) 0.80.05Characteristic Symbol Rating Unit1Gate-Drain voltage VGDO -20 VGate Current IG 10 mA3Drain power dissipation PD 100 mW 2Junction Temperature Tj 125 C Storage temperature range

Другие MOSFET... 2SK3857TV , 2SK4059CT , 2SK4059MFV , 2SK4059TK , 2SK4059TV , 2SK711 , 2SK879 , 2SK880Y , IRFP260N , TTK101TK , 2SJ181L , 2SJ181S , 2SJ186 , 2SJ216 , 2SJ217 , 2SJ221 , 2SJ222 .

History: SHD219601 | 2SK2897-01MR | AONR66821

 

 
Back to Top

 


 
.