TTK101TK Todos los transistores

 

TTK101TK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TTK101TK
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.00035 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1500 Ohm
   Paquete / Cubierta: TESM3
 

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TTK101TK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  1
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TTK101TK

TTK101TK TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type TTK101TK For ECM Unit: mm Application for compact ECM 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) 0.80.05Characteristic Symbol Rating Unit1Gate-Drain voltage VGDO -20 VGate Current IG 10 mA3Drain power dissipation PD 100 mW 2Junction Temperature Tj 125 C Storage temperature range

 8.1. Size:150K  toshiba
 ttk101mfv.pdf pdf_icon

TTK101TK

TTK101MFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type TTK101MFV For ECM Unit: mm Application for compact ECM 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) 0.80.05Characteristic Symbol Rating UnitGate-drain voltage VGDO -20 V 1Gate current IG 10 mA3Drain power dissipation PD (Note 1) 150 mW Junction temperature Tj 125 C 2Storage temperatur

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History: 25N10L-TM3-T | TK46A08N1 | RU5H5R | AP9468GP-HF | AOD510 | AP10TN003I | APT5018SLL

 

 
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