TTK101TK MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TTK101TK
Tipo de FET: JFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.00035 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1500 Ohm
Encapsulados: TESM3
Búsqueda de reemplazo de TTK101TK MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
TTK101TK datasheet
ttk101tk.pdf
TTK101TK TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type TTK101TK For ECM Unit mm Application for compact ECM 1.2 0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) 0.8 0.05 Characteristic Symbol Rating Unit 1 Gate-Drain voltage VGDO -20 V Gate Current IG 10 mA 3 Drain power dissipation PD 100 mW 2 Junction Temperature Tj 125 C Storage temperature range
ttk101mfv.pdf
TTK101MFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type TTK101MFV For ECM Unit mm Application for compact ECM 1.2 0.05 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) 0.8 0.05 Characteristic Symbol Rating Unit Gate-drain voltage VGDO -20 V 1 Gate current IG 10 mA 3 Drain power dissipation PD (Note 1) 150 mW Junction temperature Tj 125 C 2 Storage temperatur
Otros transistores... 2SK4059CT , 2SK4059MFV , 2SK4059TK , 2SK4059TV , 2SK711 , 2SK879 , 2SK880Y , TTK101MFV , IRFB4110 , 2SJ181L , 2SJ181S , 2SJ186 , 2SJ216 , 2SJ217 , 2SJ221 , 2SJ222 , 2SJ247 .
History: 2SK1694
History: 2SK1694
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643