TTK101TK - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TTK101TK
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.00035 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1500 Ohm
Тип корпуса: TESM3
Аналог (замена) для TTK101TK
TTK101TK Datasheet (PDF)
ttk101tk.pdf

TTK101TK TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type TTK101TK For ECM Unit: mm Application for compact ECM 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) 0.80.05Characteristic Symbol Rating Unit1Gate-Drain voltage VGDO -20 VGate Current IG 10 mA3Drain power dissipation PD 100 mW 2Junction Temperature Tj 125 C Storage temperature range
ttk101mfv.pdf

TTK101MFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type TTK101MFV For ECM Unit: mm Application for compact ECM 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) 0.80.05Characteristic Symbol Rating UnitGate-drain voltage VGDO -20 V 1Gate current IG 10 mA3Drain power dissipation PD (Note 1) 150 mW Junction temperature Tj 125 C 2Storage temperatur
Другие MOSFET... 2SK4059CT , 2SK4059MFV , 2SK4059TK , 2SK4059TV , 2SK711 , 2SK879 , 2SK880Y , TTK101MFV , IRF640N , 2SJ181L , 2SJ181S , 2SJ186 , 2SJ216 , 2SJ217 , 2SJ221 , 2SJ222 , 2SJ247 .
History: IRF523FI | WMO80R720S | MTE050N15BRV8
History: IRF523FI | WMO80R720S | MTE050N15BRV8



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643