TTK101TK - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TTK101TK
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.00035 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1500 Ohm
Тип корпуса: TESM3
Аналог (замена) для TTK101TK
TTK101TK Datasheet (PDF)
ttk101tk.pdf
TTK101TK TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type TTK101TK For ECM Unit: mm Application for compact ECM 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) 0.80.05Characteristic Symbol Rating Unit1Gate-Drain voltage VGDO -20 VGate Current IG 10 mA3Drain power dissipation PD 100 mW 2Junction Temperature Tj 125 C Storage temperature range
ttk101mfv.pdf
TTK101MFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type TTK101MFV For ECM Unit: mm Application for compact ECM 1.20.05Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) 0.80.05Characteristic Symbol Rating UnitGate-drain voltage VGDO -20 V 1Gate current IG 10 mA3Drain power dissipation PD (Note 1) 150 mW Junction temperature Tj 125 C 2Storage temperatur
Другие MOSFET... 2SK4059CT , 2SK4059MFV , 2SK4059TK , 2SK4059TV , 2SK711 , 2SK879 , 2SK880Y , TTK101MFV , IRFB4110 , 2SJ181L , 2SJ181S , 2SJ186 , 2SJ216 , 2SJ217 , 2SJ221 , 2SJ222 , 2SJ247 .
History: G4N60K | HFP13N10
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643



