2SJ181L Todos los transistores

 

2SJ181L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ181L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 25 Ohm

Encapsulados: DPAK

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2SJ181L datasheet

 0.1. Size:103K  renesas
 r07ds0395ej 2sj181ls.pdf pdf_icon

2SJ181L

Preliminary Datasheet R07DS0395EJ0300 2SJ181(L), 2SJ181(S) (Previous REJ03G0848-0200) Rev.3.00 Silicon P Channel MOS FET May 16, 2011 Description High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter Outline RENESAS Package code PR

 8.1. Size:87K  renesas
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2SJ181L

2SJ181(L), 2SJ181(S) Silicon P Channel MOS FET REJ03G0848-0200 (Previous ADE-208-1183) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Description High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter Outline RENESAS Package code PRSS0004ZD-A RENESAS Packa

 8.2. Size:1211K  kexin
 2sj181s.pdf pdf_icon

2SJ181L

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET 2SJ181S TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 Features 4 VDS (V) =-600V ID =-0.5 A (VGS =-10V) 0.127 +0.1 0.80-0.1 max RDS(ON) 25 (VGS =-10V) D High speed switching G Low drive current + 0.1 1 Gate 2.3 0.60- 0.1 +0.15 2 Drain 4 .60 -0.15 3 Source 4 Drain S

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History: IRLTS2242TR | 2SK4069-S27-AY | SI2301ADS-T1 | SM3424NHQA | 7N80L-TF1-T | IRLS3813PBF

 

 

 

 

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