2SJ181L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2SJ181L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 20 ns
Выходная емкость (Cd): 55 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 25 Ohm
Тип корпуса: DPAK
2SJ181L Datasheet (PDF)
r07ds0395ej 2sj181ls.pdf
Preliminary Datasheet R07DS0395EJ03002SJ181(L), 2SJ181(S) (Previous: REJ03G0848-0200)Rev.3.00Silicon P Channel MOS FET May 16, 2011Description High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter Outline RENESAS Package code: PR
2sj181.pdf
2SJ181(L), 2SJ181(S) Silicon P Channel MOS FET REJ03G0848-0200 (Previous: ADE-208-1183) Rev.2.00 Sep 07, 2005 Description High speed power switching Features Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown Suitable for switching regulator and DC-DC converter Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZD-A RENESAS Packa
2sj181s.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFET2SJ181STO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Features4 VDS (V) =-600V ID =-0.5 A (VGS =-10V)0.127+0.10.80-0.1max RDS(ON) 25 (VGS =-10V)D High speed switchingG Low drive current+ 0.11 Gate2.3 0.60- 0.1+0.152 Drain4 .60 -0.153 Source4 DrainS
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
