2SJ506L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2SJ506L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2SJ506L

2SJ506L Datasheet (PDF)

0.1. Size:102K renesas
rej03g0873 2sj506lsds.pdf

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8.1. Size:89K renesas
2sj506.pdf

2SJ506(L), 2SJ506(S) Silicon P Channel MOS FET REJ03G0873-0500 (Previous: ADE-208-548C) Rev.5.00 Sep 07, 2005 Description High speed power switching Features Low on-resistance RDS (on) = 0.065 typ. (at VGS = 10 V, ID = 5 A) Low drive current High speed switching 4 V gate drive devices. Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B RENESAS Pac

8.2. Size:1240K kexin
2sj506s.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFET2SJ506STO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Features4 VDS (V) =-30VD ID =-10 A0.127+0.10.80-0.1max RDS(ON) 85m (VGS =-10V)G RDS(ON) 180 (VGS =-4V)+ 0.12.3 0.60- 0.1 1 Gate+0.154 .60 -0.15 2 Drain3 SourceS4 Drain Absolute Maximum Ratings Ta

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Liste

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