2SJ506L datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SJ506L 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
Тип корпуса: DPAK
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для 2SJ506L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
2SJ506L даташит
rej03g0873 2sj506lsds.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
2sj506.pdf
2SJ506(L), 2SJ506(S) Silicon P Channel MOS FET REJ03G0873-0500 (Previous ADE-208-548C) Rev.5.00 Sep 07, 2005 Description High speed power switching Features Low on-resistance RDS (on) = 0.065 typ. (at VGS = 10 V, ID = 5 A) Low drive current High speed switching 4 V gate drive devices. Outline RENESAS Package code PRSS0004ZD-B RENESAS Pac
2sj506s.pdf
SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET 2SJ506S TO-252 Unit mm +0.15 6.50-0.15 +0.1 2.30 -0.1 +0.2 5.30-0.2 +0.8 0.50 -0.7 Features 4 VDS (V) =-30V D ID =-10 A 0.127 +0.1 0.80-0.1 max RDS(ON) 85m (VGS =-10V) G RDS(ON) 180 (VGS =-4V) + 0.1 2.3 0.60- 0.1 1 Gate +0.15 4 .60 -0.15 2 Drain 3 Source S 4 Drain Absolute Maximum Ratings Ta
Другие IGBT... 2SJ319S, 2SJ350, 2SJ387L, 2SJ387S, 2SJ479L, 2SJ479S, 2SJ505L, 2SJ505S, IRF1010E, 2SJ506S, 2SJ527L, 2SJ527S, 2SJ528L, 2SJ528S, 2SJ529L, 2SJ529S, 2SJ530L
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46 | MSH60N35D | MSH40N032 | MSH30P100 | MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023
Popular searches
bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m



