BUK9775-55 Todos los transistores

 

BUK9775-55 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK9775-55
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT186A
 

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BUK9775-55 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  philips
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BUK9775-55

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9775-55 Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic full-pack envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 11.7 Afeatures very low on-

 0.1. Size:135K  philips
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BUK9775-55

BUK9775-55AN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 10 June 2004 Product dataM3D3081. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK9775-55A in SOT186A (TO-220F).2. Features TrenchMOS technology Q101 compliant 150 C rated

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History: LSH65R380GT | SML60J62 | SP8076E

 

 
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