BUK9775-55 Todos los transistores

 

BUK9775-55 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK9775-55
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT186A
 

 Búsqueda de reemplazo de BUK9775-55 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BUK9775-55 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:55K  philips
 buk9775-55 2.pdf pdf_icon

BUK9775-55

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9775-55 Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic full-pack envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 11.7 Afeatures very low on-

 0.1. Size:135K  philips
 buk9775-55a.pdf pdf_icon

BUK9775-55

BUK9775-55AN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 10 June 2004 Product dataM3D3081. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK9775-55A in SOT186A (TO-220F).2. Features TrenchMOS technology Q101 compliant 150 C rated

Otros transistores... BUK9614-55 , BUK9618-30 , BUK9618-55 , BUK9620-55 , BUK9624-55 , BUK9628-55 , BUK9635-55 , BUK9675-55 , 2SK3918 , BUK98150-55 , BUK9830-30 , BUK9840-55 , BUK9880-55 , BUP60 , BUP61 , BUP62 , BUP63 .

History: FDB12N50U

 

 
Back to Top

 


 
.