BUK9775-55 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK9775-55
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 19 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Encapsulados: SOT186A
Búsqueda de reemplazo de BUK9775-55 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BUK9775-55 datasheet
buk9775-55 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9775-55 Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope using VDS Drain-source voltage 55 V trench technology. The device ID Drain current (DC) 11.7 A features very low on-
buk9775-55a.pdf
BUK9775-55A N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 10 June 2004 Product data M3D308 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology, featuring very low on-state resistance. Product availability BUK9775-55A in SOT186A (TO-220F). 2. Features TrenchMOS technology Q101 compliant 150 C rated
Otros transistores... BUK9614-55 , BUK9618-30 , BUK9618-55 , BUK9620-55 , BUK9624-55 , BUK9628-55 , BUK9635-55 , BUK9675-55 , EMB04N03H , BUK98150-55 , BUK9830-30 , BUK9840-55 , BUK9880-55 , BUP60 , BUP61 , BUP62 , BUP63 .
History: NCEP60T18
History: NCEP60T18
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASA60R150E | ASA60R090EFDA | ASA60R090EFD | ASA50R130E | ADW120N080G2 | ADQ120N080G2 | ADG120N080G2 | AS6004 | 2N7002EY | AS2310A | 2N7002KM | 2N7002KH | AON5802 | AOSS62934 | AOSN21319C | AONS66966
Popular searches
2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899