BUK9775-55 - описание и поиск аналогов

 

BUK9775-55. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK9775-55

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: SOT186A

Аналог (замена) для BUK9775-55

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9775-55 даташит

 ..1. Size:55K  philips
 buk9775-55 2.pdf pdf_icon

BUK9775-55

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9775-55 Logic level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT level field-effect power transistor in a plastic full-pack envelope using VDS Drain-source voltage 55 V trench technology. The device ID Drain current (DC) 11.7 A features very low on-

 0.1. Size:135K  philips
 buk9775-55a.pdf pdf_icon

BUK9775-55

BUK9775-55A N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 02 10 June 2004 Product data M3D308 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology, featuring very low on-state resistance. Product availability BUK9775-55A in SOT186A (TO-220F). 2. Features TrenchMOS technology Q101 compliant 150 C rated

Другие MOSFET... BUK9614-55 , BUK9618-30 , BUK9618-55 , BUK9620-55 , BUK9624-55 , BUK9628-55 , BUK9635-55 , BUK9675-55 , EMB04N03H , BUK98150-55 , BUK9830-30 , BUK9840-55 , BUK9880-55 , BUP60 , BUP61 , BUP62 , BUP63 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.