BUK9775-55 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BUK9775-55
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 19 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
Тип корпуса: SOT186A
Аналог (замена) для BUK9775-55
BUK9775-55 Datasheet (PDF)
buk9775-55 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK9775-55 Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic full-pack envelope using VDS Drain-source voltage 55 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 11.7 Afeatures very low on-
buk9775-55a.pdf
BUK9775-55AN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 02 10 June 2004 Product dataM3D3081. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology, featuring very low on-state resistance.Product availability:BUK9775-55A in SOT186A (TO-220F).2. Features TrenchMOS technology Q101 compliant 150 C rated
Другие MOSFET... BUK9614-55 , BUK9618-30 , BUK9618-55 , BUK9620-55 , BUK9624-55 , BUK9628-55 , BUK9635-55 , BUK9675-55 , AO3407 , BUK98150-55 , BUK9830-30 , BUK9840-55 , BUK9880-55 , BUP60 , BUP61 , BUP62 , BUP63 .
History: IRFH5302PBF
History: IRFH5302PBF
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGMH402C | AGMH20P15D | AGMH18N20C | AGMH1405C | AGMH12N10I | AGMH12N10D | AGMH065N10A | AGMH056N08HM1 | AGMH056N08C | AGMH056N08A | AGMH03N85C | AGMH035N10H | AGMH035N10C | AGMH035N10A | AGMH022P10H | AGM3404E
Popular searches
2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899



