H5N6001P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: H5N6001P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET H5N6001P

H5N6001P Datasheet (PDF)

0.1. Size:98K renesas
rej03g1118 h5n6001pds.pdf

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9.1. Size:408K cn haohai electr
h5n60p h5n60f.pdf

5N60 SeriesN-Channel MOSFET4.5A, 600V, N H FQP5N60C H5N60P P: TO-220AB5N60 HAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000PcsFQPF5N60C H5N60F F: TO-220FP5N60 Series Pin AssignmentFeaturesID=4.5AOriginative New De

9.2. Size:412K cn haohai electr
h5n60u h5n60d.pdf

5N60 SeriesN-Channel MOSFET5A, 600V, N H FQU5N60C H5N60U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24Kpcs5N60 HAOHAIFQD5N60C H5N60D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/5N60 Series Pin AssignmentFeaturesID=3.6AOri

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: