Справочник MOSFET. H5N6001P

 

H5N6001P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H5N6001P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

H5N6001P Datasheet (PDF)

 0.1. Size:98K  renesas
 rej03g1118 h5n6001pds.pdf pdf_icon

H5N6001P

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 9.1. Size:408K  cn haohai electr
 h5n60p h5n60f.pdf pdf_icon

H5N6001P

5N60 SeriesN-Channel MOSFET4.5A, 600V, N H FQP5N60C H5N60P P: TO-220AB5N60 HAOHAI 50Pcs 1000Pcs 5000PcsFQPF5N60C H5N60F F: TO-220FP5N60 Series Pin AssignmentFeaturesID=4.5AOriginative New De

 9.2. Size:412K  cn haohai electr
 h5n60u h5n60d.pdf pdf_icon

H5N6001P

5N60 SeriesN-Channel MOSFET5A, 600V, N H FQU5N60C H5N60U U: TO-251 80/ 4Kpcs/ 24Kpcs5N60 HAOHAIFQD5N60C H5N60D D: TO-252 25Kpcs 2.5K/ 5Kpcs/5N60 Series Pin AssignmentFeaturesID=3.6AOri

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXTK90N25L2 | STD17N06T4 | RQ3E150MN | 2N4338 | SI1402DH | IXTU01N100 | HCF70R910

 

 
Back to Top

 


 
.