H7P1006MD90TZ Todos los transistores

 

H7P1006MD90TZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: H7P1006MD90TZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92MOD
     - Selección de transistores por parámetros

 

H7P1006MD90TZ Datasheet (PDF)

 8.1. Size:131K  renesas
 rej03g1601 h7p1002dldsds.pdf pdf_icon

H7P1006MD90TZ

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

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History: MTDN1034C6 | NCE20P05Y | SML50A19 | NCE0160AG | AON6974 | SM8A03NSF | 2N7063

 

 
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