H7P1006MD90TZ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H7P1006MD90TZ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.8 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO92MOD

 Búsqueda de reemplazo de H7P1006MD90TZ MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

H7P1006MD90TZ datasheet

 8.1. Size:131K  renesas
rej03g1601 h7p1002dldsds.pdf pdf_icon

H7P1006MD90TZ

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Otros transistores... H7N1005LD, H7N1005LM, H7N1005LS, H7N1009MD90TZ, H7P0601DL, H7P0601DS, H7P1002DL, H7P1002DS, IRFB7545, H8N0801AB, HAT1016R, HAT1020R, HAT1021R, HAT1023R, HAT1024R, HAT1025R, HAT1026R