Справочник MOSFET. H7P1006MD90TZ

 

H7P1006MD90TZ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: H7P1006MD90TZ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.8 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO92MOD
 

 Аналог (замена) для H7P1006MD90TZ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H7P1006MD90TZ Datasheet (PDF)

 8.1. Size:131K  renesas
 rej03g1601 h7p1002dldsds.pdf pdf_icon

H7P1006MD90TZ

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... H7N1005LD , H7N1005LM , H7N1005LS , H7N1009MD90TZ , H7P0601DL , H7P0601DS , H7P1002DL , H7P1002DS , 8N60 , H8N0801AB , HAT1016R , HAT1020R , HAT1021R , HAT1023R , HAT1024R , HAT1025R , HAT1026R .

History: NCE0160AG | TSJ10N10AT | RFG50N05L | IXFH14N60P | HGN024N06SL | P3055LDG

 

 
Back to Top

 


 
.