H7P1006MD90TZ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: H7P1006MD90TZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.8 A
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm
Тип корпуса: TO92MOD
Аналог (замена) для H7P1006MD90TZ
H7P1006MD90TZ Datasheet (PDF)
8.1. Size:131K renesas
rej03g1601 h7p1002dldsds.pdf
rej03g1601 h7p1002dldsds.pdf
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
