H8N0801AB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: H8N0801AB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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H8N0801AB datasheet

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Otros transistores... H7N1005LM, H7N1005LS, H7N1009MD90TZ, H7P0601DL, H7P0601DS, H7P1002DL, H7P1002DS, H7P1006MD90TZ, AON7403, HAT1016R, HAT1020R, HAT1021R, HAT1023R, HAT1024R, HAT1025R, HAT1026R, HAT1038R