H8N0801AB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: H8N0801AB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
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H8N0801AB Datasheet (PDF)
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History: SIHG28N60EF
History: SIHG28N60EF
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