H8N0801AB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H8N0801AB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для H8N0801AB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H8N0801AB даташит

No data!

Другие IGBT... H7N1005LM, H7N1005LS, H7N1009MD90TZ, H7P0601DL, H7P0601DS, H7P1002DL, H7P1002DS, H7P1006MD90TZ, AON7403, HAT1016R, HAT1020R, HAT1021R, HAT1023R, HAT1024R, HAT1025R, HAT1026R, HAT1038R