H8N0801AB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: H8N0801AB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB

Другие MOSFET... H7N1005LM , H7N1005LS , H7N1009MD90TZ , H7P0601DL , H7P0601DS , H7P1002DL , H7P1002DS , H7P1006MD90TZ , EMB04N03H , HAT1016R , HAT1020R , HAT1021R , HAT1023R , HAT1024R , HAT1025R , HAT1026R , HAT1038R .