H8N0801AB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры

   Наименование производителя: H8N0801AB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам