RJJ0101DPD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RJJ0101DPD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: MP3A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RJJ0101DPD

RJJ0101DPD Datasheet (PDF)

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rej03g1580 rjj0101dpdds.pdf

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