RJJ0101DPD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RJJ0101DPD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: MP3A

 Búsqueda de reemplazo de RJJ0101DPD MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RJJ0101DPD datasheet

 0.1. Size:115K  renesas
 rej03g1580 rjj0101dpdds.pdf pdf_icon

RJJ0101DPD

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Otros transistores... HITK0202MP, HITK0203MP, HITK0204MP, HITK0302MP, HITK0303MP, HS54095, HS54095TZ-E, HS56021, IRFB7545, RJJ0315DPA, RJJ0621DPP, RJJ1011DPD, RJK0202DSP, RJK0204DPA, RJK0206DPA, RJK0208DPA, RJK0210DPA