RJJ0101DPD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RJJ0101DPD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: MP3A

Аналог (замена) для RJJ0101DPD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJJ0101DPD даташит

 0.1. Size:115K  renesas
 rej03g1580 rjj0101dpdds.pdf pdf_icon

RJJ0101DPD

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... HITK0202MP, HITK0203MP, HITK0204MP, HITK0302MP, HITK0303MP, HS54095, HS54095TZ-E, HS56021, IRFB7545, RJJ0315DPA, RJJ0621DPP, RJJ1011DPD, RJK0202DSP, RJK0204DPA, RJK0206DPA, RJK0208DPA, RJK0210DPA