Справочник MOSFET. RJJ0101DPD

 

RJJ0101DPD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJJ0101DPD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: MP3A
 

 Аналог (замена) для RJJ0101DPD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJJ0101DPD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:115K  renesas
 rej03g1580 rjj0101dpdds.pdf pdf_icon

RJJ0101DPD

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... HITK0202MP , HITK0203MP , HITK0204MP , HITK0302MP , HITK0303MP , HS54095 , HS54095TZ-E , HS56021 , 8N60 , RJJ0315DPA , RJJ0621DPP , RJJ1011DPD , RJK0202DSP , RJK0204DPA , RJK0206DPA , RJK0208DPA , RJK0210DPA .

History: NCEP3045GU | RUH1H138S | MMFTN3018W | APM8010K | IPD70R600CE | WMJ26N65F2 | KIA18N50H-220F

 

 
Back to Top

 


 
.