RJJ0315DPA Todos los transistores

 

RJJ0315DPA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RJJ0315DPA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 930 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm
   Paquete / Cubierta: WPAK
 

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RJJ0315DPA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  renesas
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RJJ0315DPA

DatasheetRJJ0315DPA R07DS0388EJ0300(Previous: REJ03G1920-0200)Silicon P Channel Power MOS FET Rev.3.00High Speed Power Switching Apr 28, 2011Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 4.8 m typ. (at VGS = -10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS

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History: SSP60R140SFD | WMN15N65C4

 

 
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