RJJ0315DPA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RJJ0315DPA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 930 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm
Encapsulados: WPAK
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RJJ0315DPA datasheet
r07ds0388ej rjj0315dpa.pdf
Datasheet RJJ0315DPA R07DS0388EJ0300 (Previous REJ03G1920-0200) Silicon P Channel Power MOS FET Rev.3.00 High Speed Power Switching Apr 28, 2011 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 4.8 m typ. (at VGS = -10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS
Otros transistores... HITK0203MP, HITK0204MP, HITK0302MP, HITK0303MP, HS54095, HS54095TZ-E, HS56021, RJJ0101DPD, AON7403, RJJ0621DPP, RJJ1011DPD, RJK0202DSP, RJK0204DPA, RJK0206DPA, RJK0208DPA, RJK0210DPA, RJK0211DPA
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ | ASDM20N100Q | ASDM12N65F | ASDM100R750PKQ | ASDM100R160NKQ | ASDM100R090NP | ASDM100R066NQ | ASDM100R045NQ | ASDM100N34KQ | ASDM100N15KQ | FTF30P35D
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