Справочник MOSFET. RJJ0315DPA

 

RJJ0315DPA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJJ0315DPA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: WPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RJJ0315DPA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  renesas
 r07ds0388ej rjj0315dpa.pdf pdf_icon

RJJ0315DPA

DatasheetRJJ0315DPA R07DS0388EJ0300(Previous: REJ03G1920-0200)Silicon P Channel Power MOS FET Rev.3.00High Speed Power Switching Apr 28, 2011Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 4.8 m typ. (at VGS = -10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IXFC80N10 | FDW254P

 

 
Back to Top

 


 
.