RJJ0315DPA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RJJ0315DPA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm

Тип корпуса: WPAK

Аналог (замена) для RJJ0315DPA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJJ0315DPA даташит

 ..1. Size:124K  renesas
 r07ds0388ej rjj0315dpa.pdf pdf_icon

RJJ0315DPA

Datasheet RJJ0315DPA R07DS0388EJ0300 (Previous REJ03G1920-0200) Silicon P Channel Power MOS FET Rev.3.00 High Speed Power Switching Apr 28, 2011 Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 4.8 m typ. (at VGS = -10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS

Другие IGBT... HITK0203MP, HITK0204MP, HITK0302MP, HITK0303MP, HS54095, HS54095TZ-E, HS56021, RJJ0101DPD, AON7403, RJJ0621DPP, RJJ1011DPD, RJK0202DSP, RJK0204DPA, RJK0206DPA, RJK0208DPA, RJK0210DPA, RJK0211DPA