Справочник MOSFET. RJJ0315DPA

 

RJJ0315DPA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJJ0315DPA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 930 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: WPAK
 

 Аналог (замена) для RJJ0315DPA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJJ0315DPA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  renesas
 r07ds0388ej rjj0315dpa.pdf pdf_icon

RJJ0315DPA

DatasheetRJJ0315DPA R07DS0388EJ0300(Previous: REJ03G1920-0200)Silicon P Channel Power MOS FET Rev.3.00High Speed Power Switching Apr 28, 2011Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 4.8 m typ. (at VGS = -10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS

Другие MOSFET... HITK0203MP , HITK0204MP , HITK0302MP , HITK0303MP , HS54095 , HS54095TZ-E , HS56021 , RJJ0101DPD , EMB04N03H , RJJ0621DPP , RJJ1011DPD , RJK0202DSP , RJK0204DPA , RJK0206DPA , RJK0208DPA , RJK0210DPA , RJK0211DPA .

 

 
Back to Top

 


 
.