RJJ1011DPD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RJJ1011DPD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm

Encapsulados: MP3A

 Búsqueda de reemplazo de RJJ1011DPD MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RJJ1011DPD datasheet

 0.1. Size:119K  renesas
 rej03g1623 rjj1011dpdds.pdf pdf_icon

RJJ1011DPD

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Otros transistores... HITK0302MP, HITK0303MP, HS54095, HS54095TZ-E, HS56021, RJJ0101DPD, RJJ0315DPA, RJJ0621DPP, EMB04N03H, RJK0202DSP, RJK0204DPA, RJK0206DPA, RJK0208DPA, RJK0210DPA, RJK0211DPA, RJK0212DPA, RJK0213DPA