Справочник MOSFET. RJJ1011DPD

 

RJJ1011DPD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJJ1011DPD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: MP3A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RJJ1011DPD Datasheet (PDF)

 0.1. Size:119K  renesas
 rej03g1623 rjj1011dpdds.pdf pdf_icon

RJJ1011DPD

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SHD219410 | 4N90G-TN3-R | ME4410AD | MPGP10R033 | EMB17C03G | JCS2N60C | BLP08N10G-D

 

 
Back to Top

 


 
.