RJJ1011DPD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RJJ1011DPD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: MP3A

Аналог (замена) для RJJ1011DPD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJJ1011DPD даташит

 0.1. Size:119K  renesas
 rej03g1623 rjj1011dpdds.pdf pdf_icon

RJJ1011DPD

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... HITK0302MP, HITK0303MP, HS54095, HS54095TZ-E, HS56021, RJJ0101DPD, RJJ0315DPA, RJJ0621DPP, EMB04N03H, RJK0202DSP, RJK0204DPA, RJK0206DPA, RJK0208DPA, RJK0210DPA, RJK0211DPA, RJK0212DPA, RJK0213DPA