BUZ60B Todos los transistores

 

BUZ60B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ60B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220M
     - Selección de transistores por parámetros

 

BUZ60B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  st
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BUZ60B

 ..2. Size:229K  inchange semiconductor
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BUZ60B

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ60BFEATURES4.5A, 400VSOA is Power Dissipation LimitedNanosecond Switching SpeedsLinear Transfer CharacteristicsHigh Input ImpedanceMajority Carrier DeviceMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators, switchingconverters

 9.1. Size:273K  st
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BUZ60B

 9.2. Size:181K  siemens
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BUZ60B

BUZ 60SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 60 400 V 5.5 A 1 TO-220 AB C67078-S1312-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 36 C 5.5Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 22Avalanche current,limited by Tjmax IAR 5.

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