BUZ80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ80
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Encapsulados: TO220
Búsqueda de reemplazo de BUZ80 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
BUZ80 datasheet
buz80.pdf
BUZ80 BUZ80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ80 800 V
buz80.pdf
BUZ 80 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 80 800 V 3.1 A 4 TO-220 AB C67078-S1309-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 28 C 3.1 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 12.5 Avalanche current,limited by Tjmax IAR
buz80fi.pdf
BUZ80 BUZ80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ80 800 V
Otros transistores... BUZ71A , BUZ71AFI , BUZ71FI , BUZ72A , BUZ74 , BUZ74A , BUZ76 , BUZ76A , IRF530 , BUZ80A , BUZ80AFI , BUZ80FI , BUZ90 , BUZ900 , BUZ900D , BUZ900DP , BUZ900P .
History: 2N7002NT1
History: 2N7002NT1
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent
