BUZ80 Todos los transistores

 

BUZ80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BUZ80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  st
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BUZ80

BUZ80BUZ80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80 800 V

 ..2. Size:180K  siemens
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BUZ80

BUZ 80SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 80 800 V 3.1 A 4 TO-220 AB C67078-S1309-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 28 C 3.1Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 12.5Avalanche current,limited by Tjmax IAR

 ..3. Size:229K  inchange semiconductor
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BUZ80

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ80FEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective application100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh current , high speed switchingSwitching mode power suppliesDC-DC & DC-AC converterABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 0.1. Size:196K  st
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BUZ80

BUZ80BUZ80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80 800 V

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