Справочник MOSFET. BUZ80

 

BUZ80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  st
 buz80.pdf pdf_icon

BUZ80

BUZ80BUZ80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80 800 V

 ..2. Size:180K  siemens
 buz80.pdf pdf_icon

BUZ80

BUZ 80SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 80 800 V 3.1 A 4 TO-220 AB C67078-S1309-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 28 C 3.1Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 12.5Avalanche current,limited by Tjmax IAR

 ..3. Size:229K  inchange semiconductor
 buz80.pdf pdf_icon

BUZ80

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ80FEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective application100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh current , high speed switchingSwitching mode power suppliesDC-DC & DC-AC converterABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 0.1. Size:196K  st
 buz80fi.pdf pdf_icon

BUZ80

BUZ80BUZ80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUZ71A , BUZ71AFI , BUZ71FI , BUZ72A , BUZ74 , BUZ74A , BUZ76 , BUZ76A , IRF530 , BUZ80A , BUZ80AFI , BUZ80FI , BUZ90 , BUZ900 , BUZ900D , BUZ900DP , BUZ900P .

History: NCEP065N10GU | FQP1N50

 

 
Back to Top

 


 
.