BUZ80 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

BUZ80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для BUZ80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

BUZ80 даташит

..1. Size:105K st
buz80.pdf pdf_icon

BUZ80 BUZ80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ80 800 V

..2. Size:180K siemens
buz80.pdf pdf_icon

BUZ 80 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 80 800 V 3.1 A 4 TO-220 AB C67078-S1309-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 28 C 3.1 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 12.5 Avalanche current,limited by Tjmax IAR

..3. Size:229K inchange semiconductor
buz80.pdf pdf_icon