BUZ80A Todos los transistores

 

BUZ80A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ80A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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BUZ80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  st
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BUZ80A

BUZ80ABUZ80AFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80A 800 V

 ..2. Size:176K  siemens
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BUZ80A

BUZ 80ASIPMOS Power Transistor N channel Enhancement modePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 80A 800 V 3 A 3 TO-220 AB C67078-A1309-A3Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 800 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 800Continuous drain current ID ATC = 50 C 3Pulsed drain current IDpulsTC =

 ..3. Size:229K  inchange semiconductor
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BUZ80A

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ80AFEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective applicationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONAutomotive power actuator driversMotor controlsDC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Sourc

 0.1. Size:197K  st
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BUZ80A

BUZ80ABUZ80AFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80A 800 V

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History: FDMC86102LZ | FQD2P40 | R6535KNZ1

 

 
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