BUZ80A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ80A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO220

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BUZ80A datasheet

 ..1. Size:107K  st
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BUZ80A

BUZ80A BUZ80AFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ80A 800 V

 ..2. Size:176K  siemens
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BUZ80A

BUZ 80A SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 80A 800 V 3 A 3 TO-220 AB C67078-A1309-A3 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 800 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 k 800 Continuous drain current ID A TC = 50 C 3 Pulsed drain current IDpuls TC =

 ..3. Size:229K  inchange semiconductor
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BUZ80A

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ80A FEATURES High speed switching Low R DS(ON) Easy driver for cost effective application Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Automotive power actuator drivers Motor controls DC-DC converters ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Sourc

 0.1. Size:197K  st
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BUZ80A

BUZ80A BUZ80AFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ80A 800 V

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