BUZ80A - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

BUZ80A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ80A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для BUZ80A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

BUZ80A даташит

..1. Size:107K st
buz80a.pdf pdf_icon

BUZ80A BUZ80AFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ80A 800 V

..2. Size:176K siemens
buz80a.pdf pdf_icon

BUZ 80A SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 80A 800 V 3 A 3 TO-220 AB C67078-A1309-A3 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain source voltage VDS 800 V VDGR Drain-gate voltage RGS = 20 k 800 Continuous drain current ID A TC = 50 C 3 Pulsed drain current IDpuls TC =

..3. Size:229K inchange semiconductor
buz80a.pdf pdf_icon

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ80A FEATURES High speed switching Low R DS(ON) Easy driver for cost effective application Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Automotive power actuator drivers Motor controls DC-DC converters ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT V Drain-Sourc

0.1. Size:197K st
buz80afi.pdf pdf_icon