RJM0306JSP Todos los transistores

 

RJM0306JSP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RJM0306JSP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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RJM0306JSP Datasheet (PDF)

 0.1. Size:122K  renesas
 rej03g1571 rjm0306jspds.pdf pdf_icon

RJM0306JSP

Preliminary Datasheet RJM0306JSP REJ03G1571-0101Silicon N / P Channel Power MOS FET Rev.1.01High Speed Power Switching May 28, 2010Features Two elements each of N and P channels are incorporated (suitable for H-bridge circuit) High density mounting Low on-resistance Capable of 4 V gate drive High temperature D-S leakage guarantee Avalanche rating

Otros transistores... RJL5020DPK , RJL5032DPP-M0 , RJL6012DPE , RJL6013DPE , RJL6015DPK , RJL6018DPK , RJL6020DPK , RJL6032DPP-M0 , IRFB4110 , RQJ0201UGDQA , RQJ0202VGDQA , RQJ0203WGDQA , RQJ0204XGDQA , RQJ0301HGDQS , RQJ0302NGDQA , RQJ0303PGDQA , RQJ0304DQDQA .

History: FQB13N10LTM | P06P03LDG | AP4822QD | IRFZ40PBF | UD9926 | IXTA460P2 | IRFH5303PBF

 

 
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