RJM0306JSP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RJM0306JSP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de RJM0306JSP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

RJM0306JSP datasheet

 0.1. Size:122K  renesas
 rej03g1571 rjm0306jspds.pdf pdf_icon

RJM0306JSP

Preliminary Datasheet RJM0306JSP REJ03G1571-0101 Silicon N / P Channel Power MOS FET Rev.1.01 High Speed Power Switching May 28, 2010 Features Two elements each of N and P channels are incorporated (suitable for H-bridge circuit) High density mounting Low on-resistance Capable of 4 V gate drive High temperature D-S leakage guarantee Avalanche rating

Otros transistores... RJL5020DPK, RJL5032DPP-M0, RJL6012DPE, RJL6013DPE, RJL6015DPK, RJL6018DPK, RJL6020DPK, RJL6032DPP-M0, AON6414A, RQJ0201UGDQA, RQJ0202VGDQA, RQJ0203WGDQA, RQJ0204XGDQA, RQJ0301HGDQS, RQJ0302NGDQA, RQJ0303PGDQA, RQJ0304DQDQA