Справочник MOSFET. RJM0306JSP

 

RJM0306JSP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RJM0306JSP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RJM0306JSP Datasheet (PDF)

 0.1. Size:122K  renesas
 rej03g1571 rjm0306jspds.pdf pdf_icon

RJM0306JSP

Preliminary Datasheet RJM0306JSP REJ03G1571-0101Silicon N / P Channel Power MOS FET Rev.1.01High Speed Power Switching May 28, 2010Features Two elements each of N and P channels are incorporated (suitable for H-bridge circuit) High density mounting Low on-resistance Capable of 4 V gate drive High temperature D-S leakage guarantee Avalanche rating

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI2343CDS | AP85T03GH | 2SJ144 | FRL234D | IRLR3103PBF | NX3008NBKV | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.