RJM0306JSP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: RJM0306JSP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для RJM0306JSP
RJM0306JSP Datasheet (PDF)
1.1. rej03g1571 rjm0306jspds.pdf 
Size:122K _renesas
Preliminary Datasheet RJM0306JSP REJ03G1571-0101 Silicon N / P Channel Power MOS FET Rev.1.01 High Speed Power Switching May 28, 2010 Features ? Two elements each of N and P channels are incorporated (suitable for H-bridge circuit) ? High density mounting ? Low on-resistance ? Capable of 4 V gate drive ? High temperature D-S leakage guarantee Avalanche rating Outline RE
Другие MOSFET... RJL5020DPK , RJL5032DPP-M0 , RJL6012DPE , RJL6013DPE , RJL6015DPK , RJL6018DPK , RJL6020DPK , RJL6032DPP-M0 , IRF520 , RQJ0201UGDQA , RQJ0202VGDQA , RQJ0203WGDQA , RQJ0204XGDQA , RQJ0301HGDQS , RQJ0302NGDQA , RQJ0303PGDQA , RQJ0304DQDQA .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BUK637-400B | BUK437-500A | CMI80N06 | CMB80N06 | CMP80N06 | MTY30N50E | 2SK3262-01MR | VN88AF | TK290P60Y | SW069R10VS | SUP70040E | SUD25N15-52-E3 | STP30NF10FP | SKS10N20 | SiHA11N80E |