RJM0306JSP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: RJM0306JSP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для RJM0306JSP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RJM0306JSP даташит

 0.1. Size:122K  renesas
 rej03g1571 rjm0306jspds.pdf pdf_icon

RJM0306JSP

Preliminary Datasheet RJM0306JSP REJ03G1571-0101 Silicon N / P Channel Power MOS FET Rev.1.01 High Speed Power Switching May 28, 2010 Features Two elements each of N and P channels are incorporated (suitable for H-bridge circuit) High density mounting Low on-resistance Capable of 4 V gate drive High temperature D-S leakage guarantee Avalanche rating

Другие IGBT... RJL5020DPK, RJL5032DPP-M0, RJL6012DPE, RJL6013DPE, RJL6015DPK, RJL6018DPK, RJL6020DPK, RJL6032DPP-M0, 10N60, RQJ0201UGDQA, RQJ0202VGDQA, RQJ0203WGDQA, RQJ0204XGDQA, RQJ0301HGDQS, RQJ0302NGDQA, RQJ0303PGDQA, RQJ0304DQDQA