Справочник MOSFET. RJM0306JSP

 

RJM0306JSP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: RJM0306JSP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для RJM0306JSP

 

 

RJM0306JSP Datasheet (PDF)

1.1. rej03g1571 rjm0306jspds.pdf Size:122K _renesas

RJM0306JSP
RJM0306JSP

 Preliminary Datasheet RJM0306JSP REJ03G1571-0101 Silicon N / P Channel Power MOS FET Rev.1.01 High Speed Power Switching May 28, 2010 Features  Two elements each of N and P channels are incorporated (suitable for H-bridge circuit)  High density mounting  Low on-resistance  Capable of 4 V gate drive  High temperature D-S leakage guarantee Avalanche rating

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top