BUZ80FI Todos los transistores

 

BUZ80FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ80FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220
 

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BUZ80FI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  st
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BUZ80FI

BUZ80BUZ80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80 800 V

 ..2. Size:226K  inchange semiconductor
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BUZ80FI

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ80FIFEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective application100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh current , high speed switchingSwitching mode power suppliesDC-DC & DC-AC converterABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.1. Size:105K  st
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BUZ80FI

BUZ80BUZ80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80 800 V

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BUZ80FI

BUZ80ABUZ80AFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80A 800 V

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History: 2N7272R4 | FDA16N50

 

 
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