BUZ80FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ80FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для BUZ80FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ80FI даташит

 ..1. Size:196K  st
 buz80fi.pdf pdf_icon

BUZ80FI

BUZ80 BUZ80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ80 800 V

 ..2. Size:226K  inchange semiconductor
 buz80fi.pdf pdf_icon

BUZ80FI

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ80FI FEATURES High speed switching Low R DS(ON) Easy driver for cost effective application 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION High current , high speed switching Switching mode power supplies DC-DC & DC-AC converter ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.1. Size:105K  st
 buz80.pdf pdf_icon

BUZ80FI

BUZ80 BUZ80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ80 800 V

 9.2. Size:107K  st
 buz80a.pdf pdf_icon

BUZ80FI

BUZ80A BUZ80AFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D BUZ80A 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUZ72A, BUZ74, BUZ74A, BUZ76, BUZ76A, BUZ80, BUZ80A, BUZ80AFI, AON7506, BUZ90, BUZ900, BUZ900D, BUZ900DP, BUZ900P, BUZ900X4S, BUZ901, BUZ901D