BUZ80FI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BUZ80FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT220
Аналог (замена) для BUZ80FI
BUZ80FI Datasheet (PDF)
buz80fi.pdf

BUZ80BUZ80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80 800 V
buz80fi.pdf

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ80FIFEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective application100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh current , high speed switchingSwitching mode power suppliesDC-DC & DC-AC converterABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25
buz80.pdf

BUZ80BUZ80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80 800 V
buz80a.pdf

BUZ80ABUZ80AFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80A 800 V
Другие MOSFET... BUZ72A , BUZ74 , BUZ74A , BUZ76 , BUZ76A , BUZ80 , BUZ80A , BUZ80AFI , 2N7002 , BUZ90 , BUZ900 , BUZ900D , BUZ900DP , BUZ900P , BUZ900X4S , BUZ901 , BUZ901D .
History: WM02N25M | CJAB25P03 | SRT10N047HTC | FQPF13N50C | SWT20N65D | HM45P02D | APT8014JLL
History: WM02N25M | CJAB25P03 | SRT10N047HTC | FQPF13N50C | SWT20N65D | HM45P02D | APT8014JLL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor