Справочник MOSFET. BUZ80FI

 

BUZ80FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BUZ80FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220

 Аналог (замена) для BUZ80FI

 

 

BUZ80FI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  st
 buz80fi.pdf

BUZ80FI BUZ80FI

BUZ80BUZ80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80 800 V

 ..2. Size:226K  inchange semiconductor
 buz80fi.pdf

BUZ80FI BUZ80FI

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ80FIFEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective application100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh current , high speed switchingSwitching mode power suppliesDC-DC & DC-AC converterABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.1. Size:105K  st
 buz80.pdf

BUZ80FI BUZ80FI

BUZ80BUZ80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80 800 V

 9.2. Size:107K  st
 buz80a.pdf

BUZ80FI BUZ80FI

BUZ80ABUZ80AFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80A 800 V

 9.3. Size:197K  st
 buz80afi.pdf

BUZ80FI BUZ80FI

BUZ80ABUZ80AFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80A 800 V

 9.4. Size:180K  siemens
 buz80.pdf

BUZ80FI BUZ80FI

BUZ 80SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 80 800 V 3.1 A 4 TO-220 AB C67078-S1309-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 28 C 3.1Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 12.5Avalanche current,limited by Tjmax IAR

 9.5. Size:176K  siemens
 buz80a.pdf

BUZ80FI BUZ80FI

BUZ 80ASIPMOS Power Transistor N channel Enhancement modePin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 80A 800 V 3 A 3 TO-220 AB C67078-A1309-A3Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitDrain source voltage VDS 800 VVDGRDrain-gate voltageRGS = 20 k 800Continuous drain current ID ATC = 50 C 3Pulsed drain current IDpulsTC =

 9.6. Size:229K  inchange semiconductor
 buz80.pdf

BUZ80FI BUZ80FI

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ80FEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective application100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh current , high speed switchingSwitching mode power suppliesDC-DC & DC-AC converterABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.7. Size:229K  inchange semiconductor
 buz80a.pdf

BUZ80FI BUZ80FI

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ80AFEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective applicationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONAutomotive power actuator driversMotor controlsDC-DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL ARAMETER VALUE UNITV Drain-Sourc

Другие MOSFET... BUZ72A , BUZ74 , BUZ74A , BUZ76 , BUZ76A , BUZ80 , BUZ80A , BUZ80AFI , IRFZ24N , BUZ90 , BUZ900 , BUZ900D , BUZ900DP , BUZ900P , BUZ900X4S , BUZ901 , BUZ901D .

 

 
Back to Top