Справочник MOSFET. BUZ80FI

 

BUZ80FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ80FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
 

 Аналог (замена) для BUZ80FI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ80FI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  st
 buz80fi.pdf pdf_icon

BUZ80FI

BUZ80BUZ80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80 800 V

 ..2. Size:226K  inchange semiconductor
 buz80fi.pdf pdf_icon

BUZ80FI

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ80FIFEATURESHigh speed switchingLow RDS(ON)Easy driver for cost effective application100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh current , high speed switchingSwitching mode power suppliesDC-DC & DC-AC converterABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.1. Size:105K  st
 buz80.pdf pdf_icon

BUZ80FI

BUZ80BUZ80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80 800 V

 9.2. Size:107K  st
 buz80a.pdf pdf_icon

BUZ80FI

BUZ80ABUZ80AFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DBUZ80A 800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUZ72A , BUZ74 , BUZ74A , BUZ76 , BUZ76A , BUZ80 , BUZ80A , BUZ80AFI , IRFP250 , BUZ90 , BUZ900 , BUZ900D , BUZ900DP , BUZ900P , BUZ900X4S , BUZ901 , BUZ901D .

 

 
Back to Top

 


 
.