RQK2501YGDQA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RQK2501YGDQA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.4 Ohm
Encapsulados: SC59A MPAK
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RQK2501YGDQA datasheet
r07ds0312ej rqk2501ygd.pdf
Preliminary Datasheet RQK2501YGDQA R07DS0312EJ0300 (Previous REJ03G1521-0200) Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features High drain to source voltage and Low gate drive VDSS 250 V and 2.5 V gate drive Low drive current High speed switching Small traditional package (MPAK) Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Pac
Otros transistores... RQK0603CGDQS , RQK0604IGDQA , RQK0605JGDQA , RQK0606KGDQA , RQK0607AQDQS , RQK0608BQDQS , RQK0609CQDQS , RQK2001HQDQA , TK10A60D , RQM2201DNS , RJK0362DSP , RJK0358DSP , HAT1132R , HAT1131R , HAT1130R , HAT1129R , HAT1128R .
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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