RQK2501YGDQA Todos los transistores

 

RQK2501YGDQA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RQK2501YGDQA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC59A MPAK
 

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RQK2501YGDQA Datasheet (PDF)

 4.1. Size:109K  renesas
 r07ds0312ej rqk2501ygd.pdf pdf_icon

RQK2501YGDQA

Preliminary Datasheet RQK2501YGDQA R07DS0312EJ0300(Previous: REJ03G1521-0200)Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00Power Switching Mar 28, 2011Features High drain to source voltage and Low gate drive VDSS : 250 V and 2.5 V gate drive Low drive current High speed switching Small traditional package (MPAK) Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Pac

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History: H5N2522LS | AP30T10GK-HF

 

 
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