RQK2501YGDQA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: RQK2501YGDQA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC59A MPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET RQK2501YGDQA

RQK2501YGDQA Datasheet (PDF)

4.1. Size:109K renesas
r07ds0312ej rqk2501ygd.pdf

Preliminary Datasheet RQK2501YGDQA R07DS0312EJ0300(Previous: REJ03G1521-0200)Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00Power Switching Mar 28, 2011Features High drain to source voltage and Low gate drive VDSS : 250 V and 2.5 V gate drive Low drive current High speed switching Small traditional package (MPAK) Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Pac

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: KTK5132E

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: