Справочник MOSFET. RQK2501YGDQA

 

RQK2501YGDQA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQK2501YGDQA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.4 Ohm
   Тип корпуса: SC59A MPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RQK2501YGDQA Datasheet (PDF)

 4.1. Size:109K  renesas
 r07ds0312ej rqk2501ygd.pdf pdf_icon

RQK2501YGDQA

Preliminary Datasheet RQK2501YGDQA R07DS0312EJ0300(Previous: REJ03G1521-0200)Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00Power Switching Mar 28, 2011Features High drain to source voltage and Low gate drive VDSS : 250 V and 2.5 V gate drive Low drive current High speed switching Small traditional package (MPAK) Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Pac

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KX6N70 | CHM1503YJGP

 

 
Back to Top

 


 
.