RQK2501YGDQA - описание и поиск аналогов

 

RQK2501YGDQA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQK2501YGDQA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.4 Ohm

Тип корпуса: SC59A MPAK

Аналог (замена) для RQK2501YGDQA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQK2501YGDQA даташит

 4.1. Size:109K  renesas
 r07ds0312ej rqk2501ygd.pdf pdf_icon

RQK2501YGDQA

Preliminary Datasheet RQK2501YGDQA R07DS0312EJ0300 (Previous REJ03G1521-0200) Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00 Power Switching Mar 28, 2011 Features High drain to source voltage and Low gate drive VDSS 250 V and 2.5 V gate drive Low drive current High speed switching Small traditional package (MPAK) Outline RENESAS Package code PLSP0003ZB-A (Pac

Другие MOSFET... RQK0603CGDQS , RQK0604IGDQA , RQK0605JGDQA , RQK0606KGDQA , RQK0607AQDQS , RQK0608BQDQS , RQK0609CQDQS , RQK2001HQDQA , TK10A60D , RQM2201DNS , RJK0362DSP , RJK0358DSP , HAT1132R , HAT1131R , HAT1130R , HAT1129R , HAT1128R .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.