Справочник MOSFET. RQK2501YGDQA

 

RQK2501YGDQA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQK2501YGDQA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.4 Ohm
   Тип корпуса: SC59A MPAK
 

 Аналог (замена) для RQK2501YGDQA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQK2501YGDQA Datasheet (PDF)

 4.1. Size:109K  renesas
 r07ds0312ej rqk2501ygd.pdf pdf_icon

RQK2501YGDQA

Preliminary Datasheet RQK2501YGDQA R07DS0312EJ0300(Previous: REJ03G1521-0200)Silicon N Channel MOS FET Rev.3.00Power Switching Mar 28, 2011Features High drain to source voltage and Low gate drive VDSS : 250 V and 2.5 V gate drive Low drive current High speed switching Small traditional package (MPAK) Outline RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A(Pac

Другие MOSFET... RQK0603CGDQS , RQK0604IGDQA , RQK0605JGDQA , RQK0606KGDQA , RQK0607AQDQS , RQK0608BQDQS , RQK0609CQDQS , RQK2001HQDQA , IRFZ24N , RQM2201DNS , RJK0362DSP , RJK0358DSP , HAT1132R , HAT1131R , HAT1130R , HAT1129R , HAT1128R .

History: CHM3413KGP | BSC014N04LSI | FDS8874 | UTT60P03 | DK64N90F | S85N042RP

 

 
Back to Top

 


 
.