RQA0009TXDQS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RQA0009TXDQS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 16 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 5 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm
Búsqueda de reemplazo de RQA0009TXDQS MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
RQA0009TXDQS datasheet
r07ds0492ej rqa0009txd.pdf
Preliminary Datasheet R07DS0492EJ0200 RQA0009TXDQS (Previous REJ03G1520-0100) Rev.2.00 Silicon N-Channel MOS FET Jun 28, 2011 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2
r07ds0493ej rqa0009sxa.pdf
Preliminary Datasheet R07DS0493EJ0200 RQA0009SXAQS (Previous REJ03G1566-0100) Rev.2.00 Silicon N-Channel MOS FET Jun 28, 2011 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2
rqa0008nxaqs.pdf
RQA0008NXAQS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G1569-0100 Rev.1.00 Jul 04, 2007 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +36 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A R (Package Name UPAK ) 3 1 2 1. Gate 3 2. Source 1 3. Drain 4. Source 4 2,
rqa0005aqs.pdf
RQA0005AQS Silicon N-Channel MOS FET Preliminary Rev.1.0 Aug.10,2005 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Po = +33 dBm, Linear Gain = 21 dB, PAE = 68% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A (Package Name UPAK) 3 1 2 1. Gate 3 1 2. Source 3. Drain 4. Source 4 2 Note Marking is
Otros transistores... 2SJ162 , 2SJ351 , 2SJ352 , RQA0011DNS , RQA0004PXDQS , RQA0005QXDQS , RQA0010VXDQS , RQA0008RXDQS , RU7088R , RQA0004LXAQS , RQA0005AQS , RQA0008NXAQS , RQA0009SXAQS , RQA0010UXAQS , 2SJ661 , 2SJ665 , 2SK3707 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
c2073 transistor | ac176 transistor | mpsa20 | irfp264 | ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b
