Справочник MOSFET. RQA0009TXDQS

 

RQA0009TXDQS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQA0009TXDQS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm
   Тип корпуса: UPAK SC62
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

RQA0009TXDQS Datasheet (PDF)

 4.1. Size:217K  renesas
r07ds0492ej rqa0009txd.pdfpdf_icon

RQA0009TXDQS

Preliminary Datasheet R07DS0492EJ0200RQA0009TXDQS (Previous: REJ03G1520-0100)Rev.2.00Silicon N-Channel MOS FET Jun 28, 2011Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2

 7.1. Size:217K  renesas
r07ds0493ej rqa0009sxa.pdfpdf_icon

RQA0009TXDQS

Preliminary Datasheet R07DS0493EJ0200RQA0009SXAQS (Previous: REJ03G1566-0100)Rev.2.00Silicon N-Channel MOS FET Jun 28, 2011Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2

 8.1. Size:151K  1
rqa0008nxaqs.pdfpdf_icon

RQA0009TXDQS

RQA0008NXAQS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G1569-0100 Rev.1.00 Jul 04, 2007 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +36 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-AR(Package Name : UPAK )3121. Gate32. Source13. Drain4. Source42,

 8.2. Size:75K  1
rqa0005aqs.pdfpdf_icon

RQA0009TXDQS

RQA0005AQS Silicon N-Channel MOS FET Preliminary Rev.1.0 Aug.10,2005 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Po = +33 dBm, Linear Gain = 21 dB, PAE = 68% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A(Package Name: UPAK)3121. Gate31 2. Source3. Drain4. Source42Note: Marking is

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: WMM020N06HG4 | SLD70R900S2 | 12N70G-TF3T-T | CJPF10N60 | 2SK4198FG | 2SK1053 | DMN1006UCA6

 

 
Back to Top

 


 
.