Справочник MOSFET. RQA0009TXDQS

 

RQA0009TXDQS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: RQA0009TXDQS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 16 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.46 Ohm
   Тип корпуса: UPAK SC62
 

 Аналог (замена) для RQA0009TXDQS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQA0009TXDQS Datasheet (PDF)

 4.1. Size:217K  renesas
r07ds0492ej rqa0009txd.pdfpdf_icon

RQA0009TXDQS

Preliminary Datasheet R07DS0492EJ0200RQA0009TXDQS (Previous: REJ03G1520-0100)Rev.2.00Silicon N-Channel MOS FET Jun 28, 2011Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2

 7.1. Size:217K  renesas
r07ds0493ej rqa0009sxa.pdfpdf_icon

RQA0009TXDQS

Preliminary Datasheet R07DS0493EJ0200RQA0009SXAQS (Previous: REJ03G1566-0100)Rev.2.00Silicon N-Channel MOS FET Jun 28, 2011Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2

 8.1. Size:151K  1
rqa0008nxaqs.pdfpdf_icon

RQA0009TXDQS

RQA0008NXAQS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G1569-0100 Rev.1.00 Jul 04, 2007 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +36 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-AR(Package Name : UPAK )3121. Gate32. Source13. Drain4. Source42,

 8.2. Size:75K  1
rqa0005aqs.pdfpdf_icon

RQA0009TXDQS

RQA0005AQS Silicon N-Channel MOS FET Preliminary Rev.1.0 Aug.10,2005 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Po = +33 dBm, Linear Gain = 21 dB, PAE = 68% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code: PLZZ0004CA-A(Package Name: UPAK)3121. Gate31 2. Source3. Drain4. Source42Note: Marking is

Другие MOSFET... 2SJ162 , 2SJ351 , 2SJ352 , RQA0011DNS , RQA0004PXDQS , RQA0005QXDQS , RQA0010VXDQS , RQA0008RXDQS , MMD60R360PRH , RQA0004LXAQS , RQA0005AQS , RQA0008NXAQS , RQA0009SXAQS , RQA0010UXAQS , 2SJ661 , 2SJ665 , 2SK3707 .

History: AP4455GEH-HF | MRF166W | 2SK2032 | BSO301SPH | BRF5N60 | PA567JA

 

 
Back to Top

 


 
.