RQA0009SXAQS Todos los transistores

 

RQA0009SXAQS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: RQA0009SXAQS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 15 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 16 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 5 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm

Encapsulados: UPAK SC62

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RQA0009SXAQS datasheet

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r07ds0493ej rqa0009sxa.pdf pdf_icon

RQA0009SXAQS

Preliminary Datasheet R07DS0493EJ0200 RQA0009SXAQS (Previous REJ03G1566-0100) Rev.2.00 Silicon N-Channel MOS FET Jun 28, 2011 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2

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r07ds0492ej rqa0009txd.pdf pdf_icon

RQA0009SXAQS

Preliminary Datasheet R07DS0492EJ0200 RQA0009TXDQS (Previous REJ03G1520-0100) Rev.2.00 Silicon N-Channel MOS FET Jun 28, 2011 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2

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rqa0008nxaqs.pdf pdf_icon

RQA0009SXAQS

RQA0008NXAQS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G1569-0100 Rev.1.00 Jul 04, 2007 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +36 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A R (Package Name UPAK ) 3 1 2 1. Gate 3 2. Source 1 3. Drain 4. Source 4 2,

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rqa0005aqs.pdf pdf_icon

RQA0009SXAQS

RQA0005AQS Silicon N-Channel MOS FET Preliminary Rev.1.0 Aug.10,2005 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Po = +33 dBm, Linear Gain = 21 dB, PAE = 68% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A (Package Name UPAK) 3 1 2 1. Gate 3 1 2. Source 3. Drain 4. Source 4 2 Note Marking is

Otros transistores... RQA0004PXDQS , RQA0005QXDQS , RQA0010VXDQS , RQA0008RXDQS , RQA0009TXDQS , RQA0004LXAQS , RQA0005AQS , RQA0008NXAQS , 60N06 , RQA0010UXAQS , 2SJ661 , 2SJ665 , 2SK3707 , 2SK3821 , 2SK3823 , 2SK3824 , 2SK3826 .

History: IRF7478TR | AOD2904 | AUIRF7343Q | NTD4904N | FHU5N60A | AGM612MNA | FX20VSJ-3

 

 

 

 

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