RQA0009SXAQS - описание и поиск аналогов

 

RQA0009SXAQS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RQA0009SXAQS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 16 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: UPAK SC62

Аналог (замена) для RQA0009SXAQS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RQA0009SXAQS даташит

 4.1. Size:217K  renesas
r07ds0493ej rqa0009sxa.pdfpdf_icon

RQA0009SXAQS

Preliminary Datasheet R07DS0493EJ0200 RQA0009SXAQS (Previous REJ03G1566-0100) Rev.2.00 Silicon N-Channel MOS FET Jun 28, 2011 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2

 7.1. Size:217K  renesas
r07ds0492ej rqa0009txd.pdfpdf_icon

RQA0009SXAQS

Preliminary Datasheet R07DS0492EJ0200 RQA0009TXDQS (Previous REJ03G1520-0100) Rev.2.00 Silicon N-Channel MOS FET Jun 28, 2011 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2

 8.1. Size:151K  1
rqa0008nxaqs.pdfpdf_icon

RQA0009SXAQS

RQA0008NXAQS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G1569-0100 Rev.1.00 Jul 04, 2007 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +36 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A R (Package Name UPAK ) 3 1 2 1. Gate 3 2. Source 1 3. Drain 4. Source 4 2,

 8.2. Size:75K  1
rqa0005aqs.pdfpdf_icon

RQA0009SXAQS

RQA0005AQS Silicon N-Channel MOS FET Preliminary Rev.1.0 Aug.10,2005 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Po = +33 dBm, Linear Gain = 21 dB, PAE = 68% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A (Package Name UPAK) 3 1 2 1. Gate 3 1 2. Source 3. Drain 4. Source 4 2 Note Marking is

Другие MOSFET... RQA0004PXDQS , RQA0005QXDQS , RQA0010VXDQS , RQA0008RXDQS , RQA0009TXDQS , RQA0004LXAQS , RQA0005AQS , RQA0008NXAQS , 60N06 , RQA0010UXAQS , 2SJ661 , 2SJ665 , 2SK3707 , 2SK3821 , 2SK3823 , 2SK3824 , 2SK3826 .

History: SM1105NSV | NTD4965N | 2SK1356 | APM9988QB | LP4411ET1G | WMM28N60F2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.