RQA0009SXAQS. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RQA0009SXAQS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 15 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 16 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Аналог (замена) для RQA0009SXAQS
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RQA0009SXAQS даташит
r07ds0493ej rqa0009sxa.pdf
Preliminary Datasheet R07DS0493EJ0200 RQA0009SXAQS (Previous REJ03G1566-0100) Rev.2.00 Silicon N-Channel MOS FET Jun 28, 2011 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2
r07ds0492ej rqa0009txd.pdf
Preliminary Datasheet R07DS0492EJ0200 RQA0009TXDQS (Previous REJ03G1520-0100) Rev.2.00 Silicon N-Channel MOS FET Jun 28, 2011 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2
rqa0008nxaqs.pdf
RQA0008NXAQS Silicon N-Channel MOS FET REJ03G1569-0100 Rev.1.00 Jul 04, 2007 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +36 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A R (Package Name UPAK ) 3 1 2 1. Gate 3 2. Source 1 3. Drain 4. Source 4 2,
rqa0005aqs.pdf
RQA0005AQS Silicon N-Channel MOS FET Preliminary Rev.1.0 Aug.10,2005 Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Po = +33 dBm, Linear Gain = 21 dB, PAE = 68% (f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Outline RENESAS Package code PLZZ0004CA-A (Package Name UPAK) 3 1 2 1. Gate 3 1 2. Source 3. Drain 4. Source 4 2 Note Marking is
Другие MOSFET... RQA0004PXDQS , RQA0005QXDQS , RQA0010VXDQS , RQA0008RXDQS , RQA0009TXDQS , RQA0004LXAQS , RQA0005AQS , RQA0008NXAQS , 60N06 , RQA0010UXAQS , 2SJ661 , 2SJ665 , 2SK3707 , 2SK3821 , 2SK3823 , 2SK3824 , 2SK3826 .
History: SM1105NSV | NTD4965N | 2SK1356 | APM9988QB | LP4411ET1G | WMM28N60F2
History: SM1105NSV | NTD4965N | 2SK1356 | APM9988QB | LP4411ET1G | WMM28N60F2
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
ksc2690 | bc546 datasheet | mpsa06 transistor | tta004b | 2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061










