VEC2415 Todos los transistores

 

VEC2415 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VEC2415

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: VEC8

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VEC2415 datasheet

 ..1. Size:276K  sanyo
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VEC2415

VEC2415 Ordering number ENA1713 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device VEC2415 Applications Features Low ON-resistance. Composite type facilitating high-density mounting. 4V drive. Mounting high 0.75mm. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Sourc

 ..2. Size:635K  onsemi
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VEC2415

VEC2415 Power MOSFET 60V, 80m , 3A, Dual N-Channel This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low www.onsemi.com on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements. Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resist

Otros transistores... MCH3476 , MCH3478 , MCH3479 , MCH6448 , MCH6603 , SCH1333 , SCH1343 , SFT1345 , SI2302 , 2SK715 , CPH3910 , CPH6904 , MCH3914 , MCH5908 , TF408 , TF410 , 2SK2701A .

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