VEC2415 Todos los transistores

 

VEC2415 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VEC2415
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: VEC8
 

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VEC2415 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:276K  sanyo
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VEC2415

VEC2415Ordering number : ENA1713SANYO SemiconductorsDATA SHEETN-Channel Silicon MOSFETGeneral-Purpose Switching DeviceVEC2415ApplicationsFeatures Low ON-resistance. Composite type facilitating high-density mounting. 4V drive. Mounting high 0.75mm.Specifications at Ta=25CAbsolute Maximum RatingsParameter Symbol Conditions Ratings UnitDrain-to-Sourc

 ..2. Size:635K  onsemi
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VEC2415

VEC2415 Power MOSFET 60V, 80m, 3A, Dual N-Channel This Power MOSFET is produced using ON Semiconductors trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low www.onsemi.com on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements. Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resist

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History: IPU80R2K4P7

 

 
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