VEC2415. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: VEC2415
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: VEC8
Аналог (замена) для VEC2415
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
VEC2415 даташит
vec2415.pdf
VEC2415 Ordering number ENA1713 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device VEC2415 Applications Features Low ON-resistance. Composite type facilitating high-density mounting. 4V drive. Mounting high 0.75mm. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Sourc
vec2415.pdf
VEC2415 Power MOSFET 60V, 80m , 3A, Dual N-Channel This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low www.onsemi.com on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements. Features VDSS RDS(on) Max ID Max Low On-Resist
Другие MOSFET... MCH3476 , MCH3478 , MCH3479 , MCH6448 , MCH6603 , SCH1333 , SCH1343 , SFT1345 , SI2302 , 2SK715 , CPH3910 , CPH6904 , MCH3914 , MCH5908 , TF408 , TF410 , 2SK2701A .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
tip122 transistor | 2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234


