EKV550 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EKV550
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 85 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 50 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4.2 V
Tiempo de elevación (tr): 360 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1200 pF
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.015 Ohm
Empaquetado / Estuche: TO220
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EKV550 Datasheet (PDF)
1.1. ekv550.pdf 
Size:316K _sanken-ele
50V N-ch MOSFET EKV550 January. 2006 Features PackageTO-220 Low on-resistance Avalanche energy capability guaranteed Built-in Gate protection diode against electrostatic discharge (ESD) Applications DC-DC Converters High speed switching Equivalent circuit D (2) G (1) S (3) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Parameter Symbol Rating Unit Drain to Sour
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Liste
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