EKV550 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: EKV550
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.2 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 360 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET EKV550

EKV550 Datasheet (PDF)

..1. Size:316K sanken-ele
ekv550.pdf

50V N-ch MOSFET EKV550 January. 2006Features PackageTO-220 Low on-resistance Avalanche energy capability guaranteed Built-in Gate protection diode against electrostatic discharge (ESD) Applications DC-DC Converters High speed switching Equivalent circuit D (2) G (1) S (3) Absolute maximum ratings (Ta=25C Parameter Symbol

..2. Size:250K inchange semiconductor
ekv550.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor EKV550FEATURESDrain Current I =50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =50V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 15m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose ap

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Liste

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