EKV550. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: EKV550

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.2 V

tr ⓘ - Время нарастания: 360 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для EKV550

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EKV550 даташит

 ..1. Size:316K  sanken-ele
 ekv550.pdf pdf_icon

EKV550

50V N-ch MOSFET EKV550 January. 2006 Features Package TO-220 Low on-resistance Avalanche energy capability guaranteed Built-in Gate protection diode against electrostatic discharge (ESD) Applications DC-DC Converters High speed switching Equivalent circuit D (2) G (1) S (3) Absolute maximum ratings (Ta=25 C Parameter Symbol

 ..2. Size:250K  inchange semiconductor
 ekv550.pdf pdf_icon

EKV550

isc N-Channel MOSFET Transistor EKV550 FEATURES Drain Current I =50A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =50V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 15m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose ap

Другие IGBT... 2SK3003, 2SK3004, 2SK3199, 2SK3710, 2SK3711, 2SK3800, 2SK3801, DKG1020, IRFZ46N, FKP202, FKP250A, FKP252, FKP253, FKP280A, FKP300A, FKP330C, FKV460S