EKV550 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: EKV550
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 360 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для EKV550
EKV550 Datasheet (PDF)
ekv550.pdf

50V N-ch MOSFET EKV550 January. 2006Features PackageTO-220 Low on-resistance Avalanche energy capability guaranteed Built-in Gate protection diode against electrostatic discharge (ESD) Applications DC-DC Converters High speed switching Equivalent circuit D (2) G (1) S (3) Absolute maximum ratings (Ta=25C Parameter Symbol
ekv550.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor EKV550FEATURESDrain Current I =50A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =50V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 15m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose ap
Другие MOSFET... 2SK3003 , 2SK3004 , 2SK3199 , 2SK3710 , 2SK3711 , 2SK3800 , 2SK3801 , DKG1020 , STP65NF06 , FKP202 , FKP250A , FKP252 , FKP253 , FKP280A , FKP300A , FKP330C , FKV460S .
History: SSM5N16FE | AOI600A60 | FDMA86108LZ | NCE60N1K0R | IPB60R160C6 | 5N65G-TN3-R
History: SSM5N16FE | AOI600A60 | FDMA86108LZ | NCE60N1K0R | IPB60R160C6 | 5N65G-TN3-R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979 | 2sc4793 | d965 | mje15031 | irfp150n