EKV550 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: EKV550
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 50 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 360 ns
Выходная емкость (Cd): 1200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.015 Ohm
Тип корпуса: TO220
EKV550 Datasheet (PDF)
1.1. ekv550.pdf 
Size:316K _sanken-ele
50V N-ch MOSFET EKV550 January. 2006 Features PackageTO-220 Low on-resistance Avalanche energy capability guaranteed Built-in Gate protection diode against electrostatic discharge (ESD) Applications DC-DC Converters High speed switching Equivalent circuit D (2) G (1) S (3) Absolute maximum ratings (Ta=25C) Parameter Symbol Rating Unit Drain to Sour
Другие MOSFET... 2SK3003 , 2SK3004 , 2SK3199 , 2SK3710 , 2SK3711 , 2SK3800 , 2SK3801 , DKG1020 , IRFP260M , FKP202 , FKP250A , FKP252 , FKP253 , FKP280A , FKP300A , FKP330C , FKV460S .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BUK637-400B | BUK437-500A | CMI80N06 | CMB80N06 | CMP80N06 | MTY30N50E | 2SK3262-01MR | VN88AF | TK290P60Y | SW069R10VS | SUP70040E | SUD25N15-52-E3 | STP30NF10FP | SKS10N20 | SiHA11N80E |