FKV575 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FKV575
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 280 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1800 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Encapsulados: TO220F
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FKV575 datasheet
fkv575.pdf
MOS FET FKV575 November, 2008 Features Package----FM20(TO220 Full Mold) High Current Capability (ID 75A (DC)) Low on-resistance (RDS(on) 7m typ) Avalanche energy guarantee Applications DC-DC Converters High speed switching Equivalent circuit D (2) G (1) S (3) Absolute maximum ratings (Ta=25 C Characteristic Symbol Rating Unit
fkv575.pdf
INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor FKV575 FEATURES With TO-220F packaging Low on-resistance Low drive current Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operationz APPLICATIONS Switching applications DC-DC converters Uninterruptible power supply ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2
Otros transistores... FKP252 , FKP253 , FKP280A , FKP300A , FKP330C , FKV460S , FKV550N , FKV550T , AO4407A , FKV660S , FLD470 , MLD685D , SKP202 , SKP253 , 2SK3018 , 2SK3018UB , 2SK3019 .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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