FKV575 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FKV575
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для FKV575
FKV575 Datasheet (PDF)
fkv575.pdf

MOS FET FKV575 November, 2008 Features Package----FM20(TO220 Full Mold) High Current Capability (ID:75A (DC)) Low on-resistance (RDS(on):7m typ) Avalanche energy guarantee Applications DC-DC Converters High speed switching Equivalent circuit D (2) G (1) S (3) Absolute maximum ratings (Ta=25C Characteristic Symbol Rating Unit
fkv575.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FKV575FEATURESWith TO-220F packagingLow on-resistanceLow drive currentEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsDC-DC convertersUninterruptible power supplyABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2
Другие MOSFET... FKP252 , FKP253 , FKP280A , FKP300A , FKP330C , FKV460S , FKV550N , FKV550T , BS170 , FKV660S , FLD470 , MLD685D , SKP202 , SKP253 , 2SK3018 , 2SK3018UB , 2SK3019 .
History: BVSS123LT1G | DG2N65-252 | 2SJ248 | AONV110A60 | SK840319 | RU40190S | AP3N4R0H
History: BVSS123LT1G | DG2N65-252 | 2SJ248 | AONV110A60 | SK840319 | RU40190S | AP3N4R0H



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918