FKV575 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FKV575
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для FKV575
FKV575 Datasheet (PDF)
fkv575.pdf

MOS FET FKV575 November, 2008 Features Package----FM20(TO220 Full Mold) High Current Capability (ID:75A (DC)) Low on-resistance (RDS(on):7m typ) Avalanche energy guarantee Applications DC-DC Converters High speed switching Equivalent circuit D (2) G (1) S (3) Absolute maximum ratings (Ta=25C Characteristic Symbol Rating Unit
fkv575.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor FKV575FEATURESWith TO-220F packagingLow on-resistanceLow drive currentEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationzAPPLICATIONSSwitching applicationsDC-DC convertersUninterruptible power supplyABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =2
Другие MOSFET... FKP252 , FKP253 , FKP280A , FKP300A , FKP330C , FKV460S , FKV550N , FKV550T , AO3407 , FKV660S , FLD470 , MLD685D , SKP202 , SKP253 , 2SK3018 , 2SK3018UB , 2SK3019 .
History: AG12N65S | FDP8N50NZU | NTMFS4939NT1G | TPB70R950C | CS10N60A8HD | RS1G120MN | AP9435GP-HF
History: AG12N65S | FDP8N50NZU | NTMFS4939NT1G | TPB70R950C | CS10N60A8HD | RS1G120MN | AP9435GP-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
bf494 | 2sc1885 | skd502t | 2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918