FKV660S Todos los transistores

 

FKV660S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FKV660S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220S
     - Selección de transistores por parámetros

 

FKV660S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:22K  sanken-ele
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FKV660S

MOS FET FKV660SAbsolute Maximum Ratings(Ta=25C) Electrical Characteristics External Dimensions TO220S(Ta=25C)Symbol Ratings Unit RatingsSymbol Test Conditions Unitmin typ maxV 60 VDSSV +20, 10 V V I =100A, V =0V 4.440.2GSS (BR)DSS D GS 60 V 10.20.3I 60 A V =+20V +10D GS1.30.2I AGSSV =10VI 180 A GS 5D(pulse)AP V =60V, V =0V 100

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
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FKV660S

isc N-Channel MOSFET Transistor FKV660SFEATURESDrain Current I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 14m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2SK1279 | IRL3714LPBF

 

 
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