FKV660S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FKV660S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 900 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Encapsulados: TO220S
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FKV660S datasheet
fkv660s.pdf
MOS FET FKV660S Absolute Maximum Ratings(Ta=25 C) Electrical Characteristics External Dimensions TO220S (Ta=25 C) Symbol Ratings Unit Ratings Symbol Test Conditions Unit min typ max V 60 V DSS V +20, 10 V V I =100 A, V =0V 4.44 0.2 GSS (BR)DSS D GS 60 V 10.2 0.3 I 60 A V =+20V +10 D GS 1.3 0.2 I A GSS V = 10V I 180 A GS 5 D(pulse) A P V =60V, V =0V 100
fkv660s.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FKV660S FEATURES Drain Current I = 60A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 14m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose
Otros transistores... FKP253 , FKP280A , FKP300A , FKP330C , FKV460S , FKV550N , FKV550T , FKV575 , 60N06 , FLD470 , MLD685D , SKP202 , SKP253 , 2SK3018 , 2SK3018UB , 2SK3019 , 2SK3019EB .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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