FKV660S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FKV660S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 400 ns
Выходная емкость (Cd): 900 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: TO220S
FKV660S Datasheet (PDF)
fkv660s.pdf
MOS FET FKV660SAbsolute Maximum Ratings(Ta=25C) Electrical Characteristics External Dimensions TO220S(Ta=25C)Symbol Ratings Unit RatingsSymbol Test Conditions Unitmin typ maxV 60 VDSSV +20, 10 V V I =100A, V =0V 4.440.2GSS (BR)DSS D GS 60 V 10.20.3I 60 A V =+20V +10D GS1.30.2I AGSSV =10VI 180 A GS 5D(pulse)AP V =60V, V =0V 100
fkv660s.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FKV660SFEATURESDrain Current I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 14m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
