Справочник MOSFET. FKV660S

 

FKV660S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FKV660S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 400 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO220S

 Аналог (замена) для FKV660S

 

 

FKV660S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:22K  sanken-ele
 fkv660s.pdf

FKV660S

MOS FET FKV660SAbsolute Maximum Ratings(Ta=25C) Electrical Characteristics External Dimensions TO220S(Ta=25C)Symbol Ratings Unit RatingsSymbol Test Conditions Unitmin typ maxV 60 VDSSV +20, 10 V V I =100A, V =0V 4.440.2GSS (BR)DSS D GS 60 V 10.20.3I 60 A V =+20V +10D GS1.30.2I AGSSV =10VI 180 A GS 5D(pulse)AP V =60V, V =0V 100

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 fkv660s.pdf

FKV660S FKV660S

isc N-Channel MOSFET Transistor FKV660SFEATURESDrain Current I = 60A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 14m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpose

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top