FKV660S - описание и поиск аналогов

 

FKV660S. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FKV660S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: TO220S

Аналог (замена) для FKV660S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FKV660S даташит

 ..1. Size:22K  sanken-ele
 fkv660s.pdf pdf_icon

FKV660S

MOS FET FKV660S Absolute Maximum Ratings(Ta=25 C) Electrical Characteristics External Dimensions TO220S (Ta=25 C) Symbol Ratings Unit Ratings Symbol Test Conditions Unit min typ max V 60 V DSS V +20, 10 V V I =100 A, V =0V 4.44 0.2 GSS (BR)DSS D GS 60 V 10.2 0.3 I 60 A V =+20V +10 D GS 1.3 0.2 I A GSS V = 10V I 180 A GS 5 D(pulse) A P V =60V, V =0V 100

 ..2. Size:254K  inchange semiconductor
 fkv660s.pdf pdf_icon

FKV660S

isc N-Channel MOSFET Transistor FKV660S FEATURES Drain Current I = 60A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 14m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpose

Другие MOSFET... FKP253 , FKP280A , FKP300A , FKP330C , FKV460S , FKV550N , FKV550T , FKV575 , 60N06 , FLD470 , MLD685D , SKP202 , SKP253 , 2SK3018 , 2SK3018UB , 2SK3019 , 2SK3019EB .

History: 2SK3582CT | FTK7002K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.