MLD685D Todos los transistores

 

MLD685D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MLD685D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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MLD685D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  sanken-ele
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MLD685D

http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC Feb. 2011 Features Package MT100 (TO3P) Low on-state resistance Built-in gate protection diode Applications Electric power steering High current switching Key Specifications V(BR)DSS=60V (ID=100A) RDS(ON)=4.7m Max. (VGS=10V,ID=42A) Internal Equivalent Circuit (2) (1) (3)

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
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MLD685D

isc N-Channel MOSFET Transistor MLD685DFEATURESDrain Current I = 85A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.7m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Otros transistores... FKP300A , FKP330C , FKV460S , FKV550N , FKV550T , FKV575 , FKV660S , FLD470 , IRFP064N , SKP202 , SKP253 , 2SK3018 , 2SK3018UB , 2SK3019 , 2SK3019EB , 2SK3541 , R4008AND .

History: HGN130N12S | BSC118N10NSG | UT6401 | PSMN9R0-30LL | SPP12N50C3 | HAT2292C | AP4963GEM

 

 
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