MLD685D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MLD685D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0047 Ohm
Encapsulados: TO3P
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MLD685D datasheet
mld685d.pdf
http //www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC Feb. 2011 Features Package MT100 (TO3P) Low on-state resistance Built-in gate protection diode Applications Electric power steering High current switching Key Specifications V(BR)DSS=60V (ID=100 A) RDS(ON)=4.7m Max. (VGS=10V,ID=42A) Internal Equivalent Circuit (2) (1) (3)
mld685d.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor MLD685D FEATURES Drain Current I = 85A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 60V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 4.7m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpos
Otros transistores... FKP300A , FKP330C , FKV460S , FKV550N , FKV550T , FKV575 , FKV660S , FLD470 , AO4468 , SKP202 , SKP253 , 2SK3018 , 2SK3018UB , 2SK3019 , 2SK3019EB , 2SK3541 , R4008AND .
History: FTK7002K
History: FTK7002K
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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