Справочник MOSFET. MLD685D

 

MLD685D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MLD685D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для MLD685D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MLD685D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:351K  sanken-ele
 mld685d.pdf pdf_icon

MLD685D

http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC Feb. 2011 Features Package MT100 (TO3P) Low on-state resistance Built-in gate protection diode Applications Electric power steering High current switching Key Specifications V(BR)DSS=60V (ID=100A) RDS(ON)=4.7m Max. (VGS=10V,ID=42A) Internal Equivalent Circuit (2) (1) (3)

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 mld685d.pdf pdf_icon

MLD685D

isc N-Channel MOSFET Transistor MLD685DFEATURESDrain Current I = 85A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.7m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos

Другие MOSFET... FKP300A , FKP330C , FKV460S , FKV550N , FKV550T , FKV575 , FKV660S , FLD470 , IRFP064N , SKP202 , SKP253 , 2SK3018 , 2SK3018UB , 2SK3019 , 2SK3019EB , 2SK3541 , R4008AND .

History: IXFE73N30Q | OSG80R380PF | SLD2N65UZ | LNH06R062 | CTD10P650 | SLB80R850SJ | PK6H2BA

 

 
Back to Top

 


 
.