MLD685D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MLD685D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1500 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
Тип корпуса: TO3P
Аналог (замена) для MLD685D
MLD685D Datasheet (PDF)
mld685d.pdf

http://www.sanken-ele.co.jp SANKEN ELECTRIC Feb. 2011 Features Package MT100 (TO3P) Low on-state resistance Built-in gate protection diode Applications Electric power steering High current switching Key Specifications V(BR)DSS=60V (ID=100A) RDS(ON)=4.7m Max. (VGS=10V,ID=42A) Internal Equivalent Circuit (2) (1) (3)
mld685d.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor MLD685DFEATURESDrain Current I = 85A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 60V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 4.7m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpos
Другие MOSFET... FKP300A , FKP330C , FKV460S , FKV550N , FKV550T , FKV575 , FKV660S , FLD470 , IRF730 , SKP202 , SKP253 , 2SK3018 , 2SK3018UB , 2SK3019 , 2SK3019EB , 2SK3541 , R4008AND .
History: FKV660S | 2SK2025 | 2SK3705
History: FKV660S | 2SK2025 | 2SK3705



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sb754 | 2sc2362 | 2sd468 | c2240 transistor | 2sc1918 | c1213 transistor | 2sc1400 replacement | 2sb817