R5005CNJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: R5005CNJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm

Encapsulados: LPTS

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R5005CNJ datasheet

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R5005CNJ

Data Sheet 10V Drive Nch MOSFET R5005CNJ Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET LPTS 10.1 4.5 1.3 Features 1.24 1) Low on-resistance. 2) High-speed switching. 2.54 0.4 0.78 2.7 3) Wide range of SOA. 5.08 (1) Gate (1) (2) (3) (2) Drain 4) Drive circuits can be simple. (3) Source 5) Parallel use is easy. Application Switching Packagin

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R5005CNJ

R5005CNX Datasheet Nch 500V 5A Power MOSFET lOutline l TO-220FM VDSS 500V RDS(on)(Max.) 1.6 ID 5A PD 40W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on-resistance. 2) Fast switching speed. 3) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be 30V. 4) Drive circuits

Otros transistores... SKP202, SKP253, 2SK3018, 2SK3018UB, 2SK3019, 2SK3019EB, 2SK3541, R4008AND, 50N06, R5007ANJ, R5007ANX, R5009ANJ, R5009ANX, R5009FNX, R5011ANJ, R5011ANX, R5011FNX